*設(shè)備照片包含選配項。
日立SU8600系列場發(fā)射掃描電子顯微鏡特點:
★高分辨成像
日立的高亮度電子源可力求了即使在低著陸電壓下,也可獲得高分辨的圖像。
★高襯度的低加速電壓背散射圖像
3D NAND截面觀察;
在低加速電壓條件下,背散射電子信號能夠明顯的顯示出氧化硅層和氮化硅層的襯度差別。
★快速BSE圖像:新型閃爍體背散射電子探測器(OCD)*
由于使用了新型的OCD探測器,即使掃描時間不到1秒,也仍然可以觀察到Fin-FET清晰的深層結(jié)構(gòu)圖像.
★自動化功能*
EM Flow Creator 允許客戶創(chuàng)建連續(xù)圖像采集的自動化工作流程。EM Flow Creator將不同的SEM功能定義為圖形化的模塊,如設(shè)置放大倍率、移動樣品位置、調(diào)節(jié)焦距和明暗對比度等。用戶可以通過簡單的鼠標(biāo)拖拽,將這些模塊按邏輯順序組成一個工作程序。經(jīng)過調(diào)試和確認(rèn)后,該程序便可以在每次調(diào)用時自動獲得、重現(xiàn)性好的圖像數(shù)據(jù)。
★靈活的用戶界面
原生支持雙顯示器,提供靈活、的操作空間。6通道同時顯示與保存,實現(xiàn)快速的多信號觀測與采集。1,2,4 或6通道信號可在同一個顯示器上同時顯示,可切換內(nèi)容包括SEM各探測器以及樣品室相機和導(dǎo)航相機。可以通過使用兩個顯示器來擴展工作空間,可定制的用戶界面以提高工作效率。
日立SU8600系列場發(fā)射掃描電子顯微鏡規(guī)格:
機型 |
SU8600 系列 |
|
電子光學(xué)系統(tǒng) |
二次電子像分辨率 |
0.6 nm@15 kV |
0.7 nm@1 kV * |
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放大倍率 |
20 to 2,000,000 x |
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電子槍 |
冷場發(fā)射電子源,支持柔性閃爍功能,包含陽烘烤系統(tǒng)。 |
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加速電壓 |
0.5 to 30 kV |
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著陸電壓 * |
0.01 to 20 kV |
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探測器 |
(部分為選配項) |
上探測器(UD) |
UD ExB能量過濾器,包含SE/BSE信號混合功能 |
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下探測器(LD) |
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頂探測器(TD) |
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TD能量過濾器 |
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鏡筒內(nèi)背散射電子探測器(IMD) |
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半導(dǎo)體式背散射電子探測器 (PD-BSED) |
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新型閃爍體式背散射電子探測器(OCD) |
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陰熒光探測器(CLD) |
||
掃描透射探測器(STEM Detector) |
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附件 |
(部分為選配項) |
導(dǎo)航相機、樣品室相機、X射線能譜儀(EDS)、背散射電子衍射探測器(EBSD) |
軟件 |
(部分為選配項) |
EM Flow Creater、HD Capture(高 40,960×30,720 像素) |
樣品臺 |
馬達(dá)驅(qū)動軸 |
5軸馬達(dá)驅(qū)動(X/Y/R/Z/T) |
馬達(dá)驅(qū)動軸 |
X:0~110 mm |
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Y:0~110 mm |
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Z:1.5~40 mm |
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T:-5~70° |
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R:360° |
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樣品室 |
樣品尺寸 |
大直徑:150 mm |
*減速模式下